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—— 中國食品雜志社
目的：研究輝光放電等離子體對(duì)硫色鐮刀菌孢子的殺菌效果及活性影響。方法：以硫色鐮刀菌標(biāo)準(zhǔn)菌株BNCC 117681為目標(biāo)菌株，首先研究輝光放電等離子體在不同條件下對(duì)目標(biāo)菌株的殺菌效果；隨后設(shè)計(jì)Box-Behnken試驗(yàn)方案，考察電壓、處理時(shí)間和極距及其相互作用對(duì)殺菌率的影響，并確定最佳殺菌工藝條件；最后研究輝光放電等離子體對(duì)該菌生長、細(xì)胞膜完整性及過氧化損傷程度的影響。結(jié)果：電壓、處理時(shí)間和極距是顯著影響殺菌率的因素，在電壓560 V、處理時(shí)間15 min、電極極距1.5 cm時(shí)殺菌率最高，可達(dá)到92.73%。輝光放電等離子體處理該菌后，孢子萌發(fā)率、菌落直徑、菌體干質(zhì)量以及麥角甾醇質(zhì)量濃度都顯著減小（P＜0.05）；相對(duì)電導(dǎo)率、孢內(nèi)大分子物質(zhì)（蛋白質(zhì)和核酸）滲漏量、碘化丙啶熒光染色強(qiáng)度以及丙二醛濃度都顯著增大（P＜0.05）。說明細(xì)胞膜很可能是等離子體作用于硫色鐮刀菌的主要位點(diǎn)，從而造成細(xì)胞膜損傷及細(xì)胞死亡。結(jié)論：輝光放電等離子體對(duì)硫色鐮刀菌孢子具有顯著的殺滅效果，研究結(jié)果為該技術(shù)應(yīng)用于食品中病原真菌殺滅提供了理論依據(jù)。
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