利用三聚氰胺制備石墨相的氮化碳,即g-C3N4,以氯化鎳和g-C3N4為基礎(chǔ)物質(zhì)采用電沉積方法制備復(fù)合化 學(xué)修飾電極。通過對裸電極、NiO/GCE、g-C3N4/GCE和NiO/g-C3N4/GCE對抗壞血酸的催化效果的比較,發(fā)現(xiàn)NiO和 g-C3N4的復(fù)合修飾電極對抗壞血酸具有良好的電催化氧化作用。掃描速率在70~200 mV/s范圍內(nèi),峰電流與掃描速 率呈良好的線性關(guān)系:Ipa=-34.14-1.167v,R=0.998;Ipc=53.42+0.357 8v,R=0.982。峰電位隨掃描速率增大有一 定的偏移,說明該修飾電極的氧化還原過程受表面控制。當(dāng)抗壞血酸的質(zhì)量濃度介于0.017 6~22.88 μg/mL時(shí),其 氧化峰電流與質(zhì)量濃度具有良好的線性關(guān)系,方程為:Ipa=-1.435+2.900C,R=0.998,檢出限為0.008 8 μg/mL。該 傳感器的選擇性、重復(fù)性和穩(wěn)定性良好,可用于果汁中抗壞血酸的檢測。
2023年第44卷 2022年第43卷 2021年第42卷 2020年第41卷 2019年第40卷 2018年第39卷 2017年第38卷 2016年第37卷 2015年第36卷 2014年第35卷 2013年第34卷 2012年第33卷 2011年第32卷 2010年第31卷 2009年第30卷 2008年第29卷 2007年第28卷 2006年第27卷 2005年第26卷 2004年第25卷 2003年第24卷 2002年第23卷 2001年第22卷 2000年第21卷 1999年第20卷 1998年第19卷 1997年第18卷 1996年第17卷 1995年第16卷 1994年第15卷 1993年第14卷 1992年第13卷 1991年第12卷 1990年第11卷 1989年第10卷 1988年第09卷 1987年第08卷 1986年第07卷 1985年第06卷 1984年第05卷 1983年第04卷 1982年第03卷 1981年第02卷 1980年第01卷
電話: 010-87293157
地址: 北京市豐臺區(qū)洋橋70號
版權(quán)所有 @ 2023 中國食品雜志社 京公網(wǎng)安備11010602060050號 京ICP備14033398號-2